전자공학과
Ge mos
OPO공정에 최적화된 Gate구조
Ge은 Si 을 대체할 후보로 여겨지며 소자의 소형화가 이루어지며 high-k 물질은 필수적으로 사용 된다. 이러한 상황에서 Ge device는 한가지 문제점과 마주했다. 그것은 Ge과 high-k 물질의 interface의 불안정한 특성이다. 이러한 특성은 gate의 control에도 어려움을 주며 leakage current를 증가 시키는 문제도 발생 시킨다. OPO(Ozone Post Oxidation) 방식은 ALD(Atomic Layer Deposition)공정은 in-situ상태로 안정적인 GeOx를 저온에서 형성 가능하다는 장점을 가지고 있다. 그러나 기존의 interlaye로 Al2O3를 사용하는 방식은 Al2O3 가 여전히 낮은 k(~8)를 갖는 한계가 있다. 이 연구에서 Al2O3/OPO/ZrO2 와 ZrO2/OPO/ZrO2 구조를 비교 및 분석하여 우리가 만든 구조의 장점을 파악하고자 한다. 안정적인 germanium oxide를 형성하고자 하는 목적을 가진 OPO 공정에 최적화된 interlayer를 다양한 물질적, 전기적 분석을 통해 찾고자 한다.
육전
집적회로 공정을 고려한 Switched Capacitor DC-DC Converter 설계
다양한 전자제품에 다양한 파워 전압이 요구되는 현대 시장에서, 직류-직류 변압기의 필요성은 날이 갈수록 중요해지고 있다. 더욱이, 기기의 소형화가 추세인 시장 현황에 맞추어, 회로 내에서 큰 부피를 차지하는 인덕터에 대한 선호도는 낮아지고 있다. 인덕터는 큰 부피로 인한 집적화의 문제점이 있으며, 비용 측면에서도 비싸다는 단점이 있다. 또한 기생 저항으로 인한 저효율 문제점도 수반하고 있다. 따라서 본 연구는 스위치-커패시터 방식을 사용한다. 커패시터를 병렬로 충전, 직렬로 방전시켜 동작하며, 직류-직류 변압기의 출력을 제어하기 위해 소비 전력이 적인 펄스 조절 제어 방식을 사용한다.
신잼민이
High-K DG MOSFET의 단채널 효과를 줄이는 변수에 따른 분석
본 연구에서는 소자의 길이가 나노미터 단위로 축소됨에 따라 게이트에 의한 채널 전위의 용량 제어 문제 등 단채널 효과 문제를 해결하기 위해 더블게이트 모스펫을 설계하고 설정한 변수들을 변화시키며 최적화된 구성을 논한다. 22nm 대칭 구조의 더블게이트 모델을 설계하고 시뮬레이션을 통해 Drain Induced Barrier Lowering(DIBL)과 ate Swing(SS)를 줄인 최적화된 DG MOSFET 구조를 개발한다. 각 모델의 on/off current 비율과 DIBL, SS의 값을 분석하여 성능을 평가하였다.
햄버거와 감자튀김
ALD 공정을 이용한 HfO2 증착 후 UV_C 반응
지난 십년간 전기에너지 수요증가로 송전선의 노화, 전력 설비 등의 설치 분량 및 온도 습도 등의 조건에 의한 열화 등으로 여러 가지 사고가 유발되었다. 이런 사고를 방지하기 위해 실시간으로 정밀하게 코로나 방전을 감지하는 것이 중요하다. 송전선으로부터는 UVC 뿐만 아니라 UVA UVB 노이즈 소리 등 다양하게 발생하는 데 이 부분에서 UVA UVB는 햇빛으로부터 검출되나 UVC 감지는 다른 기기를 이용해야 한다. 그에 대한 방법으로 SAW 기반의 코로나 센서를 설계하였다.UVC만을 감지하기 위해서는 200~280nm 파장대에 해당하는 HfO2를 증착시켜 연구를 진행하였다. UVA~UVC의 각각 파장대별로 센서 반응 테스트를 진행하였으며, 그결과 UVC에만 반응하는 것을 확인할 수 있었다.
구조
Solution process Al oxide insulator TFT
최신 기술 발전으로 소자의 집적도 향상을 위한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 소자 크기를 줄이기 위해서는 절연막의 두께를 줄여야 하는데, 기존의 SiO2 절연막은 한계에 다다랐습니다. 이를 극복하기 위해, 고 dielectric constant와 band offset을 조절할 수 있는 Mox 기반의 High-k 절연막을 개발하고 있습니다. 또한, 단일 금속산화물을 사용할 때 발생하는 높은 누설 전류 문제를 극복하기 위해 혼합 구조의 Mox에 대한 연구가 진행 중입니다.이에 대해 sio2 절연막과 mox 기반 high-k 절연막의 차이점을 비교하였습니다.
K링크
저궤도 위성통신에서 딥러닝을 활용한 핸드오버 결정 기법
최근 우크라이나-러시아 전쟁 사태에서 지상 통신 시스템이 마비된 상황 및 통신 불가능 지역에도 광범위한 통신 서비스를 제공할 수 있어 Non-Terrestrial Networks (NTN)을 활용한 통신이 주목받고 있다. 저궤도 위성은 정지궤도 위성에 비해 빠른 이동성을 가지고 있어 지상 단말에서 빔 가시성은 짧은 시간 동안만 유지가 가능하다. 따라서 지상 단말과의 빈번한 핸드오버 (Handover)를 수행해야 한다. 우리가 제시하는 핸드오버 결정 기법은 딥러닝을 활용하여 서빙 셀 정보만을 이용한 핸드오버 결정 기법이다. 이 핸드오버 결정 기법은 빈번한 핸드오버의 불편함과 불필요한 에너지 손실을 줄여 저궤도 위성에서 보다 나은 핸드오버 결정 기법이 된다.
bans2l
Design and TCAD Simulation of 35nm double-gate HEMT
최근에는 SCE를 개선하기 위해, 다양한 3D구조의 소자 혹은 새로운 물질을 도입하며 설계해 게이트의 통제력을 확보하고 있다. 이번 프로젝트를 통해, nm급 소자에서 단채널 효과를 최대한 줄이고, 게이트 통제력을 키워주는 것을 목표로 설계를 진행하였다. 이를 위해, GaN/AlGaN 구조의 극성효과와 2DEG channel을 이용한 높은 전자의 이동도를 이용한 소자인 HEMT, 게이트의 통제력을 물리적으로 올려주기 위한 double gate 구조를 결합해 Double gate-HEMT 구조의 소자를 설계해 주었다.
Gaagle
뇌 질환 진단 보조 신호처리 시스템
뇌 질환의 정확한 진단은 의료 분야에서 매우 중요한 과제 중 하나로 여겨 지며, 인공지능을 비롯해 다양한 기술적 접근법이 연구되어 왔습니다. 특히 최근에는 인공지능 기술까지 활용되고 있습니다. 그러나 빅데이터와 복잡한 알고리즘 연산을 요구하기에, 실제 적용에는 제약사항이 존재합니다. 이에 저희는 FPGA를 활용해, 고전적인 방법으로 뇌파 및 뇌 이미지를 개선하여 뇌질환의 진단 정확성을 높이고자 하였습니다.
