전자공학과
아주25
딥러닝을 이용한 차량 번호판 비식별화 시스템 개발
차량 번호판 인식시스템은 무인 자동차 주차 시스템, 불법 주차 감시 시스템과 같이 다양한 시스템에 사용된다. 딥러닝 기반 학습을 위해 많은 데이터를 구축하여 진행해야 하지만, 번호판 데이터는 개인정보로 수집하기에 어려움이 있다. 차량 번호판이 있는 이미지에서 번호판 검출 및 분류를 진행하고 가상 번호판을 생성 후 합성하여 비식별화를 수행한다. 이를 통해 개인정보 보호와 공공데이터 확보를 기대할 수 있다.
DSRC 통신을 위한 5.8GHz 원형편파 안테나 설계
DSRC(Dedicated Short Range Communication)는 ITS(Intelligent Transport Systems) 서비스를 효율적으로 이용하기 위해 개발된 무선 통신 시스템으로 오늘날 교통 혼잡을 완화하기 위한 방안으로 활용되고 있다. 또한 도로변에 위치한 기지국과 차량 간의 통신방식으로 5.8GHz 대역에서 동작한다. 혼잡한 도로 특성상 여러 경로에서 신호들이 반사되고, 이를 효율적으로 수신하기 위해 우수 원형편파와 고 이득 특성이 요구된다. 따라서 본 연구에서는 이중 급전 방식으로 원형편파를 구현하고 Circular Rotated Power Divider를 활용한 배열을 통해 고 이득 특성을 가지는 안테나를 설계한다.
아주애타조
CNN을 활용한 교내 커뮤니티 게시글 분류 알고리즘 설계
Convolutional neural network (CNN)을 사용하여 대학교 온라인 익명 커뮤니티인 에브리타임에 게시된 글의 카테고리 분류 및 질문성 여부를 판별하는 알고리즘을 설계함
I-119
CNN을 활용한 실내화재 이미지 분석 알고리즘 개발
CNN을 활용하여 실내 이미지에 대해 화재를 분석하는 알고리즘을 제안한다. 발화 초기와 같이 규모가 작은 화재 상황과 조리 중 발생하는 연기, 가스레인지 불, 촛불과 같은 비화재 상황을 포함한 데이터 셋을 학습한다. 학습한 모델은 우수한 성능을 보이며, 다양한 상황에 있어 화재와 비화재를 높은 정확도로 분류한다.
반도체 혁신을 위한 차세대 Higk-K 물질
집적도 증가에 따른 소자의 미세화가 진행되고, 이에 따라 SiO2를 대체할 high-k를 가지는 물질의 필요성이 대두되었다. 적절한 band gap과 high-k의 특성을 가진 ZrO2가 현재 반도체 기업들을 포함해 연구가 활발히 진행중이다. 이번 작품에서는 균일한 박막을 형성하고 좋은 step coverage 특성을 갖도록 하는 원자층 증착 방법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 ZrO2를 증착한다. 증착할 때 이용하는 전구체로 열적 안정성과 상대적으로 높은 박막 성장률을 갖는 CpZr(NMe2)3를 사용한다. 열적 안정성과 높은 박막 성장률로 인해 공정의 효율이 높아지고 이는 시간과 비용 절감으로 연결되어 반도체 생산에 있어 좋은 결과를 가져온다.
Ohmic L
스마트 섬유와 건식전극을 결합한 실시간 심전도 진단 스마트 의류 개발
웨어러블 기기의 발전이 진행되면서 웨어러블 바이오 센서를 통한 신체정보를 실시간으로 얻는 연구가 진행 중에 있다. 웨어러블 기기를 통해 생체신호를 취득 시 낮은 신호 대 잡음비, 유연성, 생체적합성 등의 문제가 존재한다. 이를 해결하기 위해 유/무기 하이브리드 복합물질을 기반으로 한 건식 전극과 전도성이 있는 실을 개발하였고 각각의 전기적 특성과 기계적 특성을 확인하였다. 개발된 건식 전극과 전도성이 있는 실을 이용하여 ECG 신호 측정이 가능한 스마트 의류를 제작하고자 한다.
송민혁박세진
스마트팩토리에서 활용 가능한 부품(PCB) 결함 검출 딥러닝 모델 구축
● 부품 불량 자동 검사 시스템 1. 파이썬 기반 Yolov5Lite 모델 활용 PCB 결함 검출 학습 모델 구축 2. Weight, Bias 등 Parameter Parsing 통한 베릴로그 기반 추론 계층 구현 3. 파이썬 기반 결함 정보 데이터 처리 과정 4. FPGA 상 정제된 결함 데이터 시각화
플래시 메모리용 HfO2 원자층 증착 공정연구
플래시 메모리 분야의 미세 공정이 심화됨에 따라 기존의 구조인 플로팅 게이트 타입이 물리적 한계에 도달하였다. 이에 대한 방안으로 SONOS 구조의 Charge Trap Flash (CTF) 타입 메모리가 등장하였다. 하지만 SONOS 구조 또한 물리적 한계에 도달하여 CTF 타입에서 SiN 가 아닌 HfO2와 같은 high-k 물질을 통해 charge를 trap 하는 절연막을 필요로 하게 되었다. 이때 이러한 절연막은 두께를 매우 미세하고 정확하게 컨트롤 할 수 있어야 하고, step coverage가 좋은 공정 프로세스가 필요하기에 ALD 공정이 사용되어야 한다. 따라서 해당 연구에서는 HfO2 박막 증착에 대한 ALD 공정을 개발하고자 한다.
