작품개요

AlGaN/GaN HEMT의 E-mode 구현을 위해 Recess-gate 구조를 적용하고 MIS 게이트 절연막으로 Al₂O₃/HfO₂ 이중 층을 형성하여 계면 특성을 안정화하고 게이트 제어 능력을 향상시켰다. 이를 통해 게이트 누설 전류를 효과적으로 억제하였다. 또한, SiN Passivation layer에 인장 응력을 도입해 구동 전류를 향상시켰다.