작품개요

GaN/AlGaN HEMT는 넓은 밴드갭과 높은 전계 내성을 기반으로 고전력·고주파 응용에서 핵심 소자로 활용되지만, 자연적으로 형성되는 2DEG로 인해 0V에서도 전류가 흐르는 D-mode 특성을 보이며 전력 시스템의 안전성 확보에 한계가 존재한다. 이를 극복하기 위해 본 연구는 TCAD 시뮬레이션을 통해 기존 D-mode GaN/AlGaN HEMT와 Recessed-Gate 기반 E-mode HEMT의 구조적 차이가 문턱전압, 밴드 구성, 전기적 특성에 미치는 영향을 비교·분석하여, E-mode 동작 구현의 물리적 메커니즘과 소자 설계 최적화 방향을 제시한다.